韩国存储芯片巨头SK海力士宣布，将从本月开始量产12层HBM3E存储器，预计下一季度开始发货。这一举措标志着SK海力士在下一代人工智能市场布局中的又一重要步骤。
内存技术升级，助力人工智能发展
HBM（High Bandwidth Memory）作为一种先进的内存技术，被视为制造人工智能加速器的重要组件。在人工智能计算能力的发展过程中，HBM发挥着至关重要的作用。此次SK海力士推出的12层HBM3E，是在市场上现有的8层HBM3E基础上的升级版。
与8层HBM3E的24GB容量相比，12层HBM3E每个堆栈可容纳36GB，大幅提升了内存容量。此外，由于集成了TSV（硅通孔）技术，12层HBM3E可以实现更高效的数据传输和最小的信号损耗。
市场关注，英伟达或采用新技术
目前，业界主要关注英伟达Blackwell架构中的8层HBM3E。然而，市场上仍存在一种更高级的12层HBM3E变体，它主要采用12层配置，可带来更高的内存容量和传输速度。有传言称，英伟达可能会在Hopper和Blackwell人工智能GPU的“高级”衍生产品中采用这种技术。
SK海力士已成为首批宣布量产12层HBM3E的公司之一，并表示预计将于下一季度开始出货。这一举措将有望推动HBM市场的发展，并助力人工智能技术的进步。
韩国巨头引领HBM行业，未来可期
作为HBM行业的领军企业之一，SK海力士这几年来不仅见证了客户的巨大需求，而且还在不断更新其产品库。据悉，该公司的HBM生产线已被预订到2025年，而且由于人工智能狂潮带来的需求，SK海力士预计在未来几年内还将实现持续增长。
更重要的是，SK海力士预计明年还将推出最先进的HBM4模块，并将于2026年实现量产。这种特殊的内存标准将给市场带来革命性的变化，因为它将把HBM4内存和逻辑半导体集成到一个封装中，这是新内存类型最令人期待的功能之一。
HBM市场前景广阔，预计在未来几个季度将迅速发展。然而，相关公司如何相互竞争以达到最高水平将是一个有趣的问题。从目前来看，SK海力士与三星和美光等公司的差距很大，但其在HBM领域的持续投入和创新，有望在未来缩小这一差距。
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