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填补高性能硅基集成光源芯片技术空白：中国科学家实现重大突破
【新华社讯】随着光通信技术的快速发展，高性能硅基集成光源芯片成为行业关注的焦点。华中科技大学刘阳教授在硅基集成光子芯片领域取得重大突破，成功研发出世界首个百毫瓦级别高功率硅基集成掺铒放大器，填补了低噪声、高功率、大带宽光放大器的技术空白。
打破传统技术限制，实现光芯片集成化
20世纪80年代，科学家发明了掺铒光纤放大器（EDFA），成为光纤通信技术中光信号放大的首选技术。然而，传统的EDFA依赖于单个器件的手工盘纤、制造和组装，无法实现大规模生产和器件的微型化。
刘阳教授在海外工作期间，致力于研究基于稀土元素掺杂的集成光子芯片的器件开发。近年来，他与合作者将传统的台式光纤光源集成到光芯片上，实现了微型芯片化，并在微波光子信号处理、高速光通信和光子雷达探测系统等领域进行了探索。
创造世界纪录，性能达到商用水平
2022年，刘阳教授在《Science》杂志上报道了掺铒集成光器件的重要成果，实现了世界首个高功率光子集成电路铒波导放大器（EDWA），输出功率超过145mW，创下世界纪录。新型EDWA在输出功率、增益、噪声系数上同时接近商用EDFA的性能，填补了硅基光子芯片低噪声、高功率、大带宽光放大器的技术空白。
应用前景广阔，助力多个领域发展
刘阳教授的研究成果不仅为小型化光子辅助雷达、下一代光通信收发机、星载激光通讯等领域提供了关键基础，还在光纤传感、科学研究和卫星等领域具有广泛应用场景。目前，许多国际知名工业公司迫切希望将该技术整合到相关产品中。
凭借这一创新成果，刘阳教授成为2023年度《麻省理工科技评论》“35岁以下科技创新35人”中国入选者之一。
结语
刘阳教授的研究成果标志着我国在高性能硅基集成光源芯片领域取得了重要突破，为未来光通信、数据中心、激光雷达等技术的发展奠定了坚实基础。这一创新技术的应用推广，将极大地推动我国相关产业的发展，提升我国在全球光电子领域的竞争力。
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