据韩媒ZDNet Korea报道，内存巨头SK海力士计划在今年内为两大客户英伟达（NVIDIA）和AMD分别流片新一代的HBM4内存。消息人士透露，SK海力士已组建专门团队，致力于这两家公司的HBM4内存开发工作。
据称，英伟达的HBM4内存流片预计将于今年10月率先启动，而AMD的HBM4内存则将在今年底进行流片。SK海力士在HBM4内存中坚持采用已在HBM3E中得到验证的1b nm DRAM技术，以确保产品稳定性，而不是像三星电子那样计划直接使用1c nm DRAM以追求能效竞争力。
在HBM4的基础裸片部分，SK海力士选择了台积电的N12FFC+平价产品和高性能的N5产品。值得一提的是，英伟达计划于2026年推出的高性能AI GPU“Rubin”将采用12层堆叠的HBM4内存，进一步提升其在数据中心领域的性能表现。
与此同时，SK海力士在HBM领域的竞争对手三星电子也计划在2024年内启动HBM4内存的流片工作，市场竞争愈发激烈。
SK海力士的这一策略表明，尽管更先进的制程技术可能带来能效的提升，但在关键组件的可靠性方面，公司仍然倾向于保守而稳健的路径。随着英伟达和AMD对高性能内存需求的持续增长，HBM4内存的开发与应用将对未来的高性能计算和人工智能领域产生深远影响。
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SK海力士的这一决策预示着未来GPU和高性能计算平台将有望在内存带宽和性能上实现新的突破。随着行业巨头们在内存技术上的不断角逐，消费者和企业用户可以期待更高效、更强大的计算解决方案。
【source】https://www.ithome.com/0/791/269.htm
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