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9月18日，据行业人士@手机晶片达人爆料，英伟达已与三星就3nm GAA工艺制程进行了接洽，预计最快在2025年进行量产。据IT之家报道，英伟达下一代旗舰显卡RTX 5090将使用3nm工艺，并针对散热进行着重设计，不出意外的话，其原始功耗和发热应该会给人留下深刻的印象。
据Club 386泄露的消息，基于GB102的RTX 5090包含144组SM单元，也就是18432个CUDA，比RTX 4090多出12.5%，同时拥有96MB二级缓存，匹配GDDR7显存（384bit位宽），支持PCIe 5.0 x16。微星此前在台北Computex上也展示了下一代英伟达RTX旗舰显卡的散热设计，使用了动态双金属鳍片 (Dynamic Bimetallic Fin)，六条贯穿式纯铜热管、大面积铝质鳍片中也嵌入了铜片，进一步增强散热，而显存区域也有对应的铜片。
虽然目前还没有公开RTX 5090的具体外观和参数，但考虑到英伟达在3nm GAA工艺上的尝试和RTX 4090的强劲表现，其下一代显卡的性能和散热都值得期待。据分析师预测，RTX 5090的价格可能会相对较高，但考虑到其强大的性能和潜在的节能效果，相信其市场前景依然光明。
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【来源】https://www.ithome.com/0/719/753.htm
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