IT之家9月1日消息，三星今日宣布采用12纳米级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM。这款全新的内存产品采用了最新开发的32Gb内存颗粒，即使不使用硅通孔(TSV)工艺也能够生产128GB内存模组。与使用16Gb内存封装的128GB内存模组相比，其功耗降低了约10%。这一技术突破使该产品成为数据中心等关注能效的企业的优选解决方案。全新12纳米级32Gb DDR5 DRAM计划于今年年底开始量产。
【来源】https://www.ithome.com/0/716/214.htm
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