AMD Ryzen 7 9800X3D 的 CCD 位于 3D V-Cache 芯片的顶部而不是底部，这标志着 AMD 对 X3D 架构的重大革新，为性能和散热带来了新的突破。
AMD 在即将发布的 Ryzen 7 9800X3D 处理器中，将 CCD（CPU 复杂芯片）和 3D V-Cache 芯片（L3D）的堆叠方式进行了颠覆性的改变。 不同于前几代 X3D 处理器，例如 5800X3D 和 7800X3D，将 L3D 堆叠在 CCD 的顶部，新一代 9800X3D 将 CCD 放在 L3D 的顶部，实现了 CCD与 IHS 的直接接触，这将显著提升散热效率，并为更高的时钟速度和超频能力奠定了基础。
颠覆性的堆叠方式：
在过去的 X3D 处理器中，L3D 位于 CCD 的顶部，这会导致热量传递到IHS 的路径更长，限制了 CPU 的性能和超频潜力。 为了解决这一问题，AMD 在 9800X3D 中将 CCD 放在 L3D 的顶部，使 CCD 与 IHS 直接接触，从而实现更有效的散热。
更大的 L3D芯片：
为了实现这一颠覆性的堆叠方式，AMD 扩大了 L3D 芯片的尺寸，使其与 CCD 的尺寸一致，并作为一种“基片”。 这种设计将 L3D 芯片变成了一个包含 64 MB 3D V 缓存的“基片”，它与 32 MB 片上 L3 缓存相结合，为 CPU 提供了更大的缓存容量。
“X3D Boost”的意义：
这种新的堆叠方式也解释了 AMD 所谓的“X3D Boost”的含义。 由于 CCD 与 IHS的直接接触方式与非 X3D 处理器相同，因此 X3D 处理器可以拥有与普通芯片相同的超频能力。 同时，由于散热障碍大大减少，AMD 可以为这些芯片提供与普通芯片相同的 TDP 和 PPT 值，以及更高的时钟速度。
未来的发展方向：
AMD 在未来可能会将这种设计扩展到其他产品线，例如“Zen 6”。 他们可能会为每个内核的 L2 缓存设计带有 TSV 的 CCD，进一步提升 CPU 的性能和效率。
总结：
AMD Ryzen 7 9800X3D 的全新 X3D 架构，通过颠覆性的堆叠方式和更大的 L3D 芯片，实现了性能和散热的双重提升。 这种创新将为未来的 CPU 设计带来新的可能性，并为用户带来更强大的计算能力。
参考文献：
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