Rambus 推出业界首款 DDR5 MRDIMM 和 RDIMM内存模块，为数据中心和 AI 工作负载提供更高性能
加利福尼亚州圣克拉拉，2024 年 10 月 18 日 – 领先的内存和接口技术提供商 Rambus今天宣布推出业界首款完整的内存接口芯片，适用于第五代 DDR5 RDIMM 和下一代 DDR5 多路复用级双列直插式内存模块 (MRDIMM)。 这些用于 RDIMM 和 MRDIMM 的创新型新产品将无缝扩展 DDR5 性能，为计算密集型数据中心和人工智能工作负载提供无与伦比的带宽和内存容量。
Rambus 的新芯片包括：
- Gen5 寄存时钟驱动器 (RCD)：使 RDIMM 以每秒 8000 兆次传输 (MT/s) 的速度运行。
- 多路复用寄存时钟驱动器 (MRCD) 和 多路复用数据缓冲区 (MDB)：通过将 DIMM 的带宽加倍到原生 DRAM 设备速度之外，使即将推出的 MRDIMM 的运行速度高达 12,800 MT/s。
- 第二代服务器电源管理 IC (PMIC5030)：专为 DDR5 RDIMM 8000 和 MRDIMM 12800 而设计，可在低电压下提供超高电流，以支持更高的速度和每个模块中更多的 DRAM 和逻辑芯片。
DDR5 RDIMM 8000 和行业标准 MRDIMM 12800 采用通用架构，兼容各种服务器平台，可实现灵活、可扩展的终端用户服务器配置。 DDR5 RDIMM 8000 芯片组包括 Gen5 RCD、PMIC5030、串行存在检测（SPD）集线器和温度传感器（TS）芯片。 DDR5 MRDIMM 12800 芯片组包括 MRCD 和 MDB，以及与 RDIMM 8000 相同的 PMIC5030、SPD Hub 和 TS芯片。
DDR5 MRDIMM 12800：突破性能瓶颈
DDR5 MRDIMM 12800 采用新颖高效的模块设计，通过多路复用两级 DRAM，有效交错两个数据流，从而提高数据传输速率和系统性能。 这使得主机内存总线的数据传输速率是原生 DRAM 设备的两倍，从而提高了带宽，同时使用相同的 DDR5 RDIMM 物理连接。
这就需要一个能在交替时钟周期寻址两级 DRAM 的 MRCD，以及引导数据流进出正确 DRAM 设备的MDB。 每个 DDR5 MRDIMM 12800 需要一个 MRCD 和十个 MDB 芯片来多路复用内存通道。 MRCD 和 MDB 还将支持带有四级 DDR5 DRAM 的 Tall MRDIMM 外形，以经济高效的方式实现双级 RDIMM容量的两倍。
Rambus 持续推动内存技术创新
Gen5 RCD、MRCD、MDB 和 PMIC5030 是不断发展的 Rambus 行业领先内存接口和电源管理解决方案产品组合的一部分，包括 Gen1 至 Gen4 RCD、客户端时钟驱动器 (CKD)、服务器 PMIC、SPD Hub 和 TS 芯片。
Rambus 的首席执行官兼总裁 Chakrabarti 表示：“Rambus 致力于推动内存技术创新，为数据中心和人工智能应用提供更高的性能和效率。 我们新的 DDR5 MRDIMM 和 RDIMM 解决方案将帮助我们的客户在日益增长的数据和计算需求方面取得领先优势。”
市场影响
Rambus 的 DDR5 MRDIMM 和 RDIMM 解决方案将为数据中心和人工智能应用带来显著的性能提升，并为以下领域提供支持：
- 高性能计算 (HPC)：提供更高的带宽和内存容量，以满足 HPC 工作负载的苛刻要求。
- 人工智能 (AI)：加速机器学习和深度学习算法的训练和推理。
- 云计算：提高云数据中心的效率和性能，以满足不断增长的云服务需求。
结论
Rambus 的 DDR5 MRDIMM 和 RDIMM 解决方案标志着内存技术发展的重要里程碑，为数据中心和人工智能应用提供了更高的性能和效率。 随着数据和计算需求的不断增长，Rambus 将继续推动内存技术创新，为客户提供领先的解决方案。
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