案件背景
据首尔警察厅产业技术安全侦查队6日消息，涉嫌对华泄露芯片核心技术的三星电子前高管和首席研究员被批捕。这一事件引起了广泛关注，涉及到商业泄密、技术安全以及国际关系等多个层面。
涉案人员及罪名
涉嫌泄露技术的三星电子前高管为崔某（66岁），曾担任三星电子和海力士半导体（现SK海力士）高管；前三星电子首席研究员为吴某（60岁）。两人被指控违反《产业技术法》和《防止不正当竞争及商业秘密保护法》，泄露三星电子自主开发的700多个20纳米技术工艺流程图。
泄密目的及后果
据悉，成都高真科技系崔某2021年获投资后设立，吴某出任该公司高管。警方怀疑，崔某和吴某通过泄露技术，为成都高真科技公司进行产品研发提供支持，从而获取经济利益。
此次泄密事件可能对三星电子的芯片业务产生重大影响，同时也引发了国际社会对技术安全的高度关注。
调查进展
警方于今年1月申请提捕吴某，但被驳回。之后，警方补充侦查并再次提请批捕，并一同提捕崔某。首尔中央地方法院日前批准逮捕。警方计划具体调查泄密过程、以及是否获取经济利益等。
国际影响
这一事件引发了国际社会对技术安全的高度关注。有分析认为，这一事件可能对韩国乃至全球芯片产业产生连锁反应，进一步加剧全球芯片产业的竞争。
总结
涉对华泄露芯片技术三星前高管和首席研究员被批捕的事件，不仅暴露了商业泄密的严重性，也引发了国际社会对技术安全的担忧。在当前全球科技竞争日益激烈的背景下，保护技术安全已成为各国政府和企业面临的重要课题。
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