韩国半导体制造商SK海力士今天发布了新闻稿，宣布其已经成功研发了专为人工智能应用设计的超高速度DRAM新产品——HBM3E。该款产品已开始向客户提供样品进行性能测试。据悉，这款全新的HBM3E内存产品的读写速度高达每秒1.15TB(太字节)，成为目前全球最高规格的产品之一。这一突破性技术将有助于推动AI行业的快速发展，提高相关设备的运行效率。
【来源】https://www.ithome.com/0/713/734.htm
Views: 1
Insight into the world, intelligence leading the future.👏
韩国半导体制造商SK海力士今天发布了新闻稿，宣布其已经成功研发了专为人工智能应用设计的超高速度DRAM新产品——HBM3E。该款产品已开始向客户提供样品进行性能测试。据悉，这款全新的HBM3E内存产品的读写速度高达每秒1.15TB(太字节)，成为目前全球最高规格的产品之一。这一突破性技术将有助于推动AI行业的快速发展，提高相关设备的运行效率。
【来源】https://www.ithome.com/0/713/734.htm
Views: 1